삼성전자, '메모리 초격차' 행보 가속도, 최첨단 생산라인 증설

삼성전자 평택캠퍼스 전경.

삼성전자가 최첨단 낸드플래시 생산라인을 증설하며 ‘메모리 초격차’ 행보에 속도를 내고 있다.  
 
삼성전자는 1일 경기도 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 추가로 구축한다고 발표했다. 약 8조원을 투자한다. 평택 2라인은 지난달 21일 발표한 극자외선(EUV) 파운드리 라인이 들어서는 곳이다. 지난달 21일 이곳에 약 10조원 선의 초미세 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 증설하겠다고 밝힌 지 열흘 만에 다시 나온 투자 계획으로, '메모리 초격차' 행보를 지속하겠다는 삼성의 의지가 반영된 것이다.
 
삼성은 지난달 평택 2라인에 EUV 파운드리와 함께 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했다. 내년 하반기부터 5나노 이하 EUV와 함께 최첨단 V낸드 제품 양산을 시작할 계획이다. 삼성전자는 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품 양산에 성공한 바 있다.
 
이번 추가 투자로 평택캠퍼스는 2015년 단지 조성을 위한 첫 삽을 뜬 지 5년 만에 메모리 반도체와 비메모리 반도체를 망라하는 최첨단 반도체 복합 생산기지로 거듭나게 됐다. 삼성전자는 이번 낸드 추가 투자의 의미를 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하는 것이라고 설명했다.
 
최근 '언택트(untact·비대면)' 라이프 스타일 확산으로 낸드 플래시 등 메모리 수요가 확대될 것으로 예상되는 가운데 선제대응에 나서겠다는 의미다. 삼성전자는 이번 평택캠퍼스 2라인의 한 개 층을 EUV 파운드리 라인과 낸드플래시 라인으로 활용하고, 다른 한 개 층에는 메모리 반도체 D램 생산 라인을 추가 구축할 것으로 알려졌다.
 
김두용 기자 [e-mail]