'초격차' 삼성, 업계 최초 12단 5세대 HBM 개발 성공…상반기 양산 돌입

36GB HBM3E 12H D램. 삼성전자

삼성전자는 업계 최초로 36GB HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) 12H D램 개발에 성공했다고 27일 밝혔다.

삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천개의 미세한 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다.

HBM3E 12H는 1초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대) 8H 대비 50% 이상 개선했다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 40여 편을 업(다운)로드 할 수 있다.

삼성전자는 HBM3E 12H가 AI(인공지능) 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 기업들에게 최고의 솔루션이 될 것으로 기대했다.

성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용하면 GPU(그래픽처리장치) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용을 절감할 수 있다는 설명이다.

예를 들어 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때보다 평균 34%의 AI 학습 속도 향상이 가능하다. 추론은 최대 11.5배 많은 AI 사용자에게 서비스를 제공할 수 있는 수준이다.

삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 올해 상반기 양산할 예정이다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장은 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 말했다.