삼성전자는 AI(인공지능) 특화 초고용량 서버 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 위한 1테라비트(Tb) QLC 9세대 V낸드를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다.
삼성 9세대 V낸드는 몰드층을 순차적으로 적층한 뒤 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용한 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현했다.
특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 페리(셀 관장 회로)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도(단위 면적당 저장 비트 수)를 보장한다는 설명이다.
V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 중요하다. 삼성전자는 이를 위해 '디자인드 몰드' 기술을 활용했다.
셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL의 간격을 조절해 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높였다.
또 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램 기술'로 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.
낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(데이터 읽기·쓰기 담당 배선)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'로 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 줄였다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 말했다.