삼성전자 경계현 "2~3년 내 반도체 1위 자리 되찾겠다"

경계현 삼성전자 사장이 20일 삼성전자 제55기 정기 주주총회에서 2~3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다는 의지를 밝히고 있다. 삼성전자 제공

경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장이 향후 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다는 의지를 밝혔다.

경계현 부문장은 20일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 제55기 주주총회에서 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한 지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것"이라고 말했다.

경 사장은 "기존 사업만으로는 장기적으로 반도체 1등을 유지할 수 없다"며 "연구개발(R&D) 투자를 통해 얻은 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자와 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환구조를 구축할 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 지난해 인텔에 반도체 공급사 매출 1위 자리를 내줬다. 시장조사업체 가트너에 따르면 지난해 삼성전자 반도체 매출은 전년 대비 37.5% 줄어든 399억 달러로, 인텔(487억달러)에 이은 2위였다.

반도체연구소는 양적·질적 측면에서 2배로 키울 계획이다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 방침이다.

경 사장은 "삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 핀펫(FinFET), 게이트올어라운드(GAA) 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획"이라고 설명했다.

이를 위해 오는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감하게 투자할 방침이다.

올해 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 크게 성장한 6300억 달러를 기록할 것으로 예상된다. 경 사장은 삼성전자 DS부문의 매출도 2022년 수준으로 회복할 것으로 전망했다.

삼성전자는 메모리의 경우 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 활용한 128기가바이트(GB) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단을 쌓은 고대역폭 메모리(HBM)를 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾는다는 계획이다.

파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고, 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 오토모티브와 RF 등 특수공정 완성도를 향상하는 등 고객 포트폴리오도 확대할 방침이다.

20일 주주와의 대화의 시간이 진행되고 있는 모습. 삼성전자  

주주와 대화의 시간에서는 HBM에 관련해 SK하이닉스에 비해 한발 늦었다는 질책이 나왔다. 한 주주는 "HBM에서는 한발 늦었다고 인정한 것 같은데, HBM에 버금가는 차세대 시장으로 꼽히는 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)나 지능형 반도체(PIM)에서는 삼성이 확실히 경쟁사 대비 우위를 가지고 있는지 궁금하다"고 경 사장에게 물었다. 

이에 경 사장은 "앞으로 다시는 (HBM과 같은)그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "CXL과 PIM은 다양한 고객들과 협의하면서 실제 적용 등을 진행하고 있고, 곧 가시적인 성과를 보일 수 있을 것"이라고 말했다.

한종희 삼성전자 대표이사 부회장도 인사말을 통해 삼성 브랜드 가치를 계속 이어나가겠다는 의지를 밝혔다. 

그는 “2023년 삼성전자의 브랜드 가치는 인터브랜드 평가 기준 914억 달러로 글로벌 톱5의 위상을 유지했다”며 “혁신기술에 기반한 제품과 서비스를 통해 지속가능한 일상과 미래를 만들어 나가고 있다”고 강조했다. 

주주가치 제고와 관련해서는 연간 배당금이 10조원에 육박한다고 설명했다. 

한 부회장은 주주가치 제고에 대해 "지난해 어려운 경영환경 속에서도 주주환원 정책을 성실히 이행하기 위해 2023년 기준으로 연간 9.8조원의 배당을 지급할 계획이고, 앞으로도 주주중시 경영 강화를 위해 최선의 노력을 다하겠다"고 말했다.