삼성전자, HBM4E 최초 공개…엔비디아 파트너십 강조

삼성전자가 차세대 AI(인공지능) 메모리인 HBM4E(7세대 고대역폭 메모리)를 최초 공개했다.

삼성전자는 17일 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에 참가해 HBM4E 기술력과 엔비디아 AI 가속기 '베라 루빈' 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 선보였다.

삼성전자는 이번 전시의 'HBM4 히어로 월'에서 HBM4부터 ▲메모리 ▲로직 설계 ▲파운드리 ▲첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)의 강점을 부각했다. '엔비디아 갤러리'에서는 삼성전자와 엔비디아의 전략적 파트너십을 강조했다.

이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 ▲AI 팩토리(AI 데이터센터) ▲로컬 AI(온디바이스 AI) ▲피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해 GDDR7·LPDDR6·PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.

행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM 기술 리더십을 조명하는 전시 동선을 구성했다.

회사는 HBM4(6세대 HBM) 양산으로 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음으로 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 메모리와 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 역량을 결집한 최적화 협업으로 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또 삼성전자는 열과 압력으로 칩과 칩을 접합하는 반도체 패키징 기술인 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 공개했다. HCB는 구리 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 패키징 기술이다.

삼성전자는 "종합반도체 기업만의 토털 솔루션으로 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획"이라고 전했다.